上海芯导电子科技有限公司
企业简介
  About Prisemi Prisemi is a leading supplier of high-quality semiconductor products. We are dedicated to providing you with proprietary solutions and breakthrough technology in power management, security products, communications, human interface, as well as wireless products. Our integrated circuits (ICs) are employed in PDA, mobile telephone, communications, computer, industrial and other commercial applications. Moreover, our TVS, SIDACTor and PPV, which designed specifically for the protection of electronic systems from the destructive effects of ESD, Nuclear Electromagnetic Pulse(NEMP) and inductive switching, with over ten years of engineering and manufacturing experience, are recognized by a number of domestic international enterprises, and conform the RoHS and IEC standards. Our Mission: Offer strategic independence to our partners worldwide, as a profitable and viable professional semiconductor supplier Quality and Green Commitment: Prisemi is committed to providing environmentally friendly products that not only meet RoHS standards, but also are available in Halogen-and Antimony-free options upon request. Prisemi’s global success is attributed to the superior performance and value of solutions that it offers to customers.
上海芯导电子科技有限公司的工商信息
  • 310115001173485
  • 913101156972811715
  • 存续(在营、开业、在册)
  • 有限责任公司(自然人投资或控股)
  • 2009年11月26日
  • 欧新华
  • 1000.000000
  • 2009年11月26日 至 2029年11月25日
  • 自由贸易试验区市场监管局
  • 2009年11月26日
  • 中国(上海)自由贸易试验区祖冲之路2277弄7号
  • 电子科技、计算机专业领域内的技术开发、技术咨询、技术服务、技术转让、技术培训,芯片、集成电路的设计、开发,电子产品、通讯产品、计算机硬件的研发、销售,计算机软件的开发、设计、制作、销售(以上除计算机信息系统安全专用产品);系统集成,网络工程,从事货物与技术的进出口业务。 【依法须经批准的项目,经相关部门批准后方可开展经营活动】
上海芯导电子科技有限公司的域名
类型 名称 网址
网站 上海芯导电子科技有限公司 www.prisemi.com
网站 上海芯导电子科技有限公司 WWW.PRISEMI.COM
上海芯导电子科技有限公司的商标信息
序号 注册号 商标 商标名 申请时间 商品服务列表 内容
1 8156759 芯导 2010-03-29 计算机;商品电子标签;电传真设备;信号灯;电子信号发射器;电子监听仪器;测量仪器;半导体;半导体器件;集成电路;电涌保护器;整流用电力装置;电子防盗装置;太阳能电池 查看详情
上海芯导电子科技有限公司的专利信息
序号 公布号 发明名称 公布日期 摘要
1 CN205303460U 一种TVS器件 2016.06.08 本实用新型涉及半导体制造领域,尤其涉及一种TVS器件。一种TVS器件,应用于电子设备充电口的功率保护
2 CN106571742A 一种升压转换器 2017.04.19 本发明涉及电力电子技术领域,尤其涉及一种升压转换器,包括第一输入口、第一输出口、主线路、采集电路、控
3 CN205921376U 一种过电压保护电路 2017.02.01 本实用新型涉及电压保护领域,尤其涉及一种过电压保护电路。一种过电压保护电路,应用于对一电源的保护中,
4 CN106206266A 一种推阱工艺 2016.12.07 本发明涉及二极管的优化领域,尤其涉及一种应用于TVS二极管的推阱工艺,于一反应炉管内进行,包括:第一
5 CN106057759A 一种用于打线封装的半导体结构 2016.10.26 本发明涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种用于打线封装的半导体结构,包括:衬底,所述衬底上分布有若干
6 CN103312267B 一种高精度振荡器及频率产生方法 2016.03.16 本发明提供了一种高精度振荡器,用于电子电路技术领域,包括:带隙基准电压源BANDGAP,跨导放大器,
7 CN204719580U 一种提供自适应公共电压的多路可控电路 2015.10.21 本实用新型提供一种提供自适应公共电压的多路可控电流电路,该电路主要包括:电源模块;控制模块,具有电源
8 CN104932595A 一种提供自适应公共电压的多路可控电路及方法 2015.09.23 本发明提供一种提供自适应公共电压的多路可控电流电路及方法,该电路主要包括:电源模块;控制模块,具有电
9 CN204258366U 适配器及包括该适配器的充电系统 2015.04.08 本实用新型涉及移动终端充电技术领域,尤其涉及一种适配器及包括该适配器的充电系统,所述适配器包括:充电
10 CN104377781A 适配器及包括该适配器的充电系统、充电的方法 2015.02.25 本发明涉及移动终端充电技术领域,尤其涉及一种适配器及包括该适配器的充电系统、充电的方法,通过将电路控
11 CN102315120B 降低半导体芯片漏电流的方法 2015.02.04 本发明提供一种降低半导体芯片漏电流的方法,包括以下步骤:生产芯片;设定漏电流标准值;测量所述芯片的实
12 CN204103893U 一种电平转换电路 2015.01.14 本实用新型提供一种电平转换电路,解决non-epi工艺条件下现有技术中电平转换电路不能输出负电压的问
13 CN104242909A 一种电平转换电路 2014.12.24 本发明提供一种电平转换电路,解决non-epi工艺条件下现有技术中电平转换电路不能输出负电压的问题,
14 CN203415573U 一种过流保护芯片 2014.01.29 本实用新型涉及一种过流保护芯片,包括一块作为基区的N型半导体衬底,在N型半导体衬底上部部分区域包括P
15 CN103312267A 一种高精度振荡器及频率产生方法 2013.09.18 本发明提供了一种高精度振荡器,用于电子电路技术领域,包括:带隙基准电压源BANDGAP,跨导放大器,
16 CN203193973U 一种高效率LED驱动电路 2013.09.11 本实用新型涉及一种高效率LED驱动电路,包括直流电源VIN、LED控制电路、过压保护电路和LED用电
17 CN203193972U 一种高效率PWM调光LED驱动电路 2013.09.11 本实用新型涉及一种高效率PWM调光LED驱动电路,包括电源输入端VIN、LED控制电路、PWM控制器
18 CN202949568U 一种大功率MEMS麦克风 2013.05.22 本实用新型涉及一种大功率MEMS麦克风,包括封装电路板壳体、MEMS芯片封装结构和ASIC芯片封装结
19 CN202949567U 一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风 2013.05.22 本实用新型涉及一种采用双金线芯片封装结构的大功率MEMS麦克风,包括封装电路板壳体、双金线MEMS芯
20 CN202120922U 大功率稳压管 2012.01.18 本实用新型提供一种大功率稳压管,包括衬底和通过在所述衬底表面掺杂所形成的第一有源区,所述大功率稳压管
21 CN102315120A 降低半导体芯片漏电流的方法 2012.01.11 本发明提供一种降低半导体芯片漏电流的方法,包括以下步骤:生产芯片;设定漏电流标准值;测量所述芯片的实
22 CN202013887U 实现TVS功能的高精度稳压管 2011.10.19 本实用新型提供一种实现TVS功能的高精度稳压管,包括N型衬底和P型扩散区,所述稳压管还包括一短路环,
23 CN201985101U 一种单面放电管集成芯片 2011.09.21 本实用新型涉及一种单面放电管集成芯片,包括N型衬底与形成在该N型衬底正面或背面的P扩散区和N+扩散区
24 CN201985107U 一种功率大体积小的TVS管 2011.09.21 本实用新型涉及一种大功率体积小的TVS管,包括硅片以及在该硅片表面形成的绝缘氧化层,该绝缘氧化层是在
25 CN201985099U 高压大功率手机充电芯片 2011.09.21 本实用新型提供一种高压大功率手机充电芯片,包括集电极、基极和发射极,集电极为从芯片的集电区引出,基极
26 CN201985102U 一种低电压半导体放电管 2011.09.21 本实用新型涉及一种低电压半导体放电管,包括N1型衬底、正面P扩散区、背面P扩散区、正面P扩散区内的N
27 CN201985103U 一种低漏电固体放电管 2011.09.21 本实用新型提供一种低漏电固体放电管,其包括由封装材料构成的壳体、位于所述壳体内的晶元、第一电极、第二
28 CN201985108U 一种用于HDMI接口保护的TVS管 2011.09.21 本实用新型涉及一种用于HDMI接口保护的TVS管,包括N型衬底以及在该N型衬底的一面形成的P扩散区,
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